[固态硬盘] 咨询个矿盘算法

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[固态硬盘]咨询个矿盘算法

作者:鈂默是金

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1T的硬盘写入400T=2T的写入200T？
有这么算的吗？
今天听到群里人跟卖矿盘的对话，我人都傻了
另外问下我想收个2t仓库盘，为了便携只考虑m2的，有没有啥好的推荐？
目前已知sn750写入800t的要800块钱
方力的sx8200矿拆也是八百出头，有啥好的推荐吗还

顶一顶

按全盘擦写算寿命的。

1T写400T相当于2T写800T，闪存按PE次数算寿命的

数学不好吧

闪存写入量除以容量等于擦写次数，有些盘的SMART信息里直接就标明了擦写次数，没有标的话自己算，TLC一般在1500-3000次左右
主机写入量≠闪存写入量，考虑到写入放大，后者一般是前者的2-3倍

不是这样算，要考虑写入放大，这个是个变量，不同主控算法都不太一样。

平衡磨损，基本上是这样

你这专收矿盘，咋推荐啊，矿盘靠运气啦，闭眼收就是了

很大概率用了一天就坏了，然后。。。。

矿盘寿命长都是按dwpd算的，消费级才看tbw

矿盘随时狗带，也没保，各大厂保修条例里都写了挖矿不保(诸如不正当使用之类的词)，约等于一次性用品，千万别当仓库盘，到时候数据没了别说吧友没提醒，勉强当当游戏盘，最多没法玩游戏

这个题我倒是可以回答一下lz，我对于固态硬盘工作还是有点了解的（其实是因为固态硬盘的常识性知识相对来说简单一点罢了）
固态硬盘上用的nand颗粒是有寿命的，具体来说就是电位变化（对应软件操作就是写入数据），电位变化次数是有限的，变化次数太多就容易导致变化以后的电位保持出现问题（也就是错误太多，导致读取写入性能严重下降，甚至掉盘等风险），因此，我们通常所说的颗粒寿命，其实就是每一个晶体管的电位变化，到了寿命，也不是说就坏掉了，而是闪存颗粒的数据保持很成问题，可能不通电一个星期硬盘掉电就掉完了，导致数据丢失或者读取出现问题。
nand写入数据是针对每一个晶体管的，那写入的时候，自然就出现了有的晶体管改变了电位（写入了数据）有的却没有（没有进行数据写入），但是nand寿命却是类似的，所以就引入了动态和静态平衡磨损（尽可能少写已经写了很多次的区块，多写没有写太多的区块），以增加SSD的寿命，目前SSD的静态动态平衡磨损已经很成熟了，用的时候，完全可以等同于容量x写入次数。
但是实际上SSD写入还没有那么简单，因为SSD还存在两样东西可能导致nand的寿命发生变化，一种是op（冗余空间，指固态硬盘nand本身有空间，但是用户不可用，比如说1TB可能实际nand容量有1536GB，其中512GB作为op，你不能用，但是在均匀磨损的时候，这些额外的容量仍然可以给你提供额外的nand寿命），另一个就是写入放大，写入的时候，因为现在的tlc颗粒性能其实不是很强，消费级SSD都配备了slc缓存以提高性能，这样的话就有问题了，因为写入的时候，是把tlc换成了slc，但是换完了以后，他还是需要把slc存储转化成tlc存储，这个过程还需要进行一些写入，除此之外还有一些trim操作也有可能吃掉一部分写入，这些都会造成影响。
那么到现在我们可以回答lz的问题了，lz的情况，很明显，同等op冗余比例，同等主控策略，同等nand情况下，容量大的硬盘永远比小容量的拥有更高的寿命，因为容量大的硬盘会天然拥有更多的晶体管，而每一个晶体管寿命是差不多长的（说到底就是比谁晶体管多，晶体管寿命长），但是具体到一块硬盘，情况就得具体分析了