[固态硬盘] 致钛之闪存颗粒闲谈[第1页]

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[固态硬盘]致钛之闪存颗粒闲谈[第1页]

作者:wangdy0508

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前一段时间因为某虚拟币的大热，带来了一波抢购大容量固态硬盘用来挖矿的大潮，而在这波大潮中，致钛固态硬盘算是小小的崭露了一番头角。除却高容量企业级固态硬盘外，致钛的零售固态以其高TBW的长寿命颗粒也获得了不少“矿老板”的认可（几大自身能够生产颗粒的原厂固态品牌中，某国际品牌的零售固态竟然并没有获得“矿老板”的认可，此处应当有笑声）。一些评测也确实证实了致钛固态硬盘目前使用的64层3D TLC在写入寿命和耐高温上都表现极佳。我一直关注致钛的闪存颗粒，但一直没有专门聊过这个，今天就闲谈一下致钛的闪存颗粒。

众所周知，致钛是长江存储自有品牌，所以它所推出的固态硬盘所使用的闪存颗粒必然是来自长江存储。长江存储以其独特的Xtacking技术架构先后量产了32层3D NAND、64层3DNAND，今年还发布了最新的128层3D NAND（包括3D TLC和3D QLC）。

致钛所使用的闪存颗粒现在最为人熟知的就是它的“Xtacking”标识，什么是Xtacking呢？Xtacking是一种3D堆栈技术架构，咱们就从3D NAND技术聊起。简单来说如果把2D NAND看成平房的话，那把平房叠在一起变成了楼房就是所谓的3D NAND了，3D NAND一般由阵列（垂直堆叠的层）和外围电路两部分组成，阵列是用来存储的，外围电路是用来控制辅助阵列的。就像我们盖大楼一样，楼层越高，那么你楼下的供电供水设施就要越多越大，3D NAND也是如此，堆叠层数越多，外围电路就需要占用更多的面积，如此一来就会占用很多的芯片空间，增加了3D NAND的制造复杂性和制造成本。所以就必须解决这个问题，Xtacking架构就是为解决这一问题而诞生的。Xtacking技术是将外围电路置于存储单元之上（类似于大楼的众多供水供电装置不放在大楼的周围了，而是直接放在了楼顶上，节省了土地面积），从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。当然Xtacking架构的实现是极为复杂的技术和工艺，并不像我说的这样简单，它需要像上图那样，在两个单独的晶圆上分别制作外围电路和存储单元，然后通过自身的技术处理，以数十亿根垂直互联通道将两个晶圆结合到一起。这一架构技术使得长江存储原厂颗粒具备了高存储密度，更快的I/0传输速度，以及更短的制造周期。所以长江存储自家原厂颗粒真的是有独门绝活的，很强的，目前的Xtacking架构已经来到了Xtacking 2.0。

原厂Xtacking闪存颗粒凭借高存储密度、高I/0传输速度以及优秀耐高温表现成为了致钛SSD高稳定、高耐用品质的最重要保障。当然聊起致钛稳定耐用这事儿，我就得多说两句了，致钛除了闪存颗粒极为稳妥外，致钛的固件也是极为稳妥，甚至个人觉得致钛固件写得有点保守，以致钛所使用颗粒的高质量而言，完全可以把固件搞得很激进……但是呢，对于用来存储数据的硬盘来说，或许致钛这种凡事先求稳，再于稳中求性能的风格才是更值得肯定的。致钛当前产品线有SATA接口的SC001和NVMe协议（PCIe3.0*4速率）的PC005，都表现优秀质量稳定，但是还是要在这里呼唤一下，致钛请尽早推出128层Xtacking闪存的PCIe4.0速率旗舰固态好不好？期待致钛更多更新的产品和我们相见！