[固态硬盘] 颗粒迭代之例行升级——西数SN570 1T 评测[第2页]

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[固态硬盘]颗粒迭代之例行升级——西数SN570 1T 评测[第2页]

作者:无谓丶shunny

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(5) SLC Cache写入测试
在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC
(GarbageCollection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。
①预填充20%

②预填充40%

③预填充60%

④预填充80%

由测试结果来看，裸盘和加装散热片的写入情况趋于一致。但对剩余空间写入的过程中，无论是预填充多少空间，SN570的SLC Cache大小均仅有8GiB，而空盘情况下则是有13GiB大小。

(6) 稳态顺序读写
根据SNIA发布的《Solid State Storage Performance Test Specification》中写道，固态一般分为以下三个阶段：FOB、Transition和SteadyState。

故在此阶段，先对WD SN570 1T进行了一次全盘顺序写入后，进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。
结果如下：
①Without Heatsink

②With Heatsink

在长时间稳态顺序读写中，裸盘和加装散热片的结果趋于一致，并未出现明显的降速，由此可见SN570的发热及功耗尚可，温度较低。Write_BW所记录的是1800s内的平均写入速度，此时SN570是进入了TLC颗粒直写的状态。

(7) 颗粒分析及猜测
由于新版SN550以及SN570的缓外速度低于老版SN550，造成该现象的原因主要在于采用了BICS5 112层更先进的颗粒。在此，笔者将根据现有的测试结果提出自己的猜测。
根据IEEE于2019年发表的一篇名为《A 512Gb 3-bit/Cell 3D FlashMemory on 128-Wordline-Layer with 132MB/s Write Performance FeaturingCircuit-Under-Array Technology》中Figure 13.5.2的数据，128WL Layers也就是KIOXIA/WD的BICS5，其带宽能够达到132MB/s。表中所展示的颗粒实际上是512Gb 4 Planes接驳2CE，单CE的带宽为66MB/s。

但SN570 1T采用的是dramless主控，主控提供了4CH4CE共16CE，而Wafer采用的规格并非512Gb，而是1Tb×8die接驳8CE。以512Gb颗粒的1CE带宽66MB/s来类推，此时颗粒直写的理论速度应为8×66MB/s=528MB/s，且由于采用了1Tb的大die封装，实际的带宽可能略高于512Gb的颗粒带宽，故测试中所得到的TLC颗粒直写速度略高于528MB/s。
而老版本的SN550 1T则是采用了96层BICS4颗粒，512Gb×16die接驳主控16CE，颗粒直写的理论速度应为16×57MB/s=912MB/s，基本符合老版本SN550 1T的缓外颗粒写入速度。这也是为什么新版SN550/SN570 1T的缓外速度不及老版本的SN550的原因，或许新版SN550/SN570 2T容量点缓外速度才能达到满血性能。

七、结论
1、SN570延续了SN550一贯的发热及功耗，实际温控做的比较好，适合一些对于硬盘温度有要求的用户。
2、SLC Cache的策略基本延续了上一代产品SN550，固件调校偏向保守。实际上笔者认为可以进一步提高SLC Cache的大小，做到缓内及缓外写入速度之间的一个平衡。
3、作为一款Dramless盘，在重型负载的应用场景中，SN570的IOPS及最大延迟表现并不算亮眼，与带Dram盘有一定的差距，但SN570在99%/99.9%/99.99%下的QoS（Quality of Service）延迟表现较好。
4、由于采用了BICS5 112L 1Tb的颗粒，使得SN570 1T仅接驳了主控的8CE，并未最大化利用到主控的16CE，造成缓外颗粒写入速度较低。

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感觉不怎么样啊

现在开始满血起步容量要变成2t了。。。