- 闸门驱动电源范围从10–20V
- 欠电压锁定
- 高侧输出与输入同步
- 关闭输入将关闭这两个通道
- 两个信道的匹配传输延迟
- IR2104(S) 高压、高速功率MOSFTE和IGBT驱动器，具有依赖的高侧和低侧参考输出通道
- 绝对最大额定参数：表明设备损坏可能超过的持续极限
引脚定义：
Vb:高侧浮动绝对电压
Vs：高侧浮动电源偏移电压
Vho：高侧浮动输出电压
Vcc: 低侧和逻辑固定的电源电压
Vlo:低侧输出电压
Vin:逻辑输入电压（IN和SD）
注意这个地方，为什么VB的电压范围是VS+10V到VS加20V
当输入的电压大于3V时，HO输出逻辑1,即高电平，LO输出逻辑零，即低电平
当输入的电压小于0.8V时，HO输出逻辑零，即低电平，LO输出逻辑1，即高电平
输入一个占空比为D的PWM波，输出端HO与输入端的波形是一致的，给单片机供电一般是3.3V，VB和VS之间的电势差就是VCC，如果VCC等于15V，VS端接地，那么VB的电压就是15V，MOS驱动一般是10-15V或10到20V，单片机的电压3.3V不足以驱动MOS，所以需要一个驱动电路
如上图电路图所示;
当IN输入为高电平时经过或非门还有其他的器件，上桥臂导通，HO输出为高电平，但对于下面两个MOS来说呢，加入了一个反相器，所以下桥臂导通HO输出低电平，所以说原理就是，输入一个PWM波信号，然后输出两个互补的PWM波信号
死区作用：避免上下桥臂同时导通，造成短路风险
SD非的作用根据这个波特图可以知道，当其为低电平时，HO 和 LO都为低，MOS不工作
（控制芯片工作与否）
输入端内部集成了一个下拉电阻，在没有任何输入的时候，默认为低电平，起一个保护的作用
注意：SD端一般接高电平默认芯片一直处于工作状态
当输入给一个PWM波一段时间后，将输入撤出，则输入为低，那么HO输出就是一个与VS引脚端电压相同的低电平，而LO输出就是一个满占空比的PWM波 （BOOST一定要注意）
IR2103 ：
与2104不同点：
引脚的SD端改为了LIN
这个图里的输入端集成了上拉和下拉电阻
当HIN和LIN都是高电平时，HO输出高电平LO相反，HIN和LIN都为低电平时，HO和LO都为低电平
加二极管作用：防止电流灌流， 当MGND的电势由于MOS导通后瞬间变大，因为电容两端的电压不能突变，所以VB的电势值就变成了VCC+MGND此时的电势（忽略二极管压降） VB>VCC,防止灌流
高电平的时候，电容充电，低电平的时候，电容放电
电压逐渐降低的过程中，GS间电势差逐渐降低，从原来的完全导通到不完全导通，导致MOS发烫发热，占空比不能给到百分之百，写程序时一定要把占空比给限定住
自给电路作用：由于电容两端的电压不能突变，有一端电压不变，为15V，另外一端电压从零升到20V，所以另外一侧二极管的右边电压为35V，但是35V的电压是不能够长期维持的
维持栅极和源极之间的电压
隔离驱动芯片:TLP250 三相逆变会用到，光耦隔离
引脚原理图：
左侧是发光二极管，3端口接地，当单片机输出PWM波是高电平的时候，接2口，发光二极管会亮，上边的MOS是导通的，6输出的是8，8接的是vcc,6输出的就是高电平，单片机输出的PWM波是低电平，就是下边的MOS导通，输出的就是低GND
原理:通过PWM波的高低电平，来控制灯的开通和关断，进而再控制输出端MOS的开通和关断
这个真值表说明的也是相同的原理
单片机供电电压是3.3V，但上面输入引脚电压最大1.8V，所以单片机引脚电压不能直接加到输入点电压引脚，故要加入限流电阻，[ 计算电阻阻值，（3.3-1.5）/10ma ]