STM32G0B1CCT6是相对比较新的MCU，属于G系列，不支持标准库，所以下文用的是hal库或者ll库。
首先STM32G0B1CCT6是有256kflash的，每页2k，而规格书里面只提到0-63page，相当于128kflash。
对于后128k的flash其实需要切换bank2才能使用。
下图为STM32G0B1CCT6的flash构成
然后我们先看正常如果要擦除第一页的代码
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASH_Unlock();
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
My_Flash.Banks = FLASH_BANK_1;
//调用擦除函数
if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
{
//3、对FLASH烧写
//MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
}
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
当我们要擦除后128k的第一页的时候，即第64页时，需要把FLASH_BANK_1切换到FLASH_BANK_2
不能直接在FLASH_BANK_1声明擦除第64页，切换到FLASH_BANK_2后，相应的页数为总页数减64页。
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASH_Unlock();
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
My_Flash.Page = 0; //声明要擦除的页
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
My_Flash.Banks = FLASH_BANK_2;
//调用擦除函数
if(HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError) == HAL_OK)
{
//3、对FLASH烧写
//MEM_WRITE(FLASH_SYSTEM_DATA_ADDR, buf, 5);
}
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
最后再附上一个ST-programmer和iar的一个小bug。我将这些问题均已反馈到原厂了。
1、如果ST-programmer要单独擦除后128k是擦除失败的，因为软件本身没有切换bank2
2、IAR烧录时该次使用到了后128k，则也是擦除失败导致烧录失败。第一次烧录成功，但是从第二次开始需要擦除到相应flash时，擦除失败就无法下载了（keil应该也是一样）