一、解决FLASH_ProgramHalfPage写入失败
? ? ? ? 这一章节是摘自一位网友的文章，因为我遇到跟他一样的问题，解决办法也是一样的，所以懒得再自己截图了。因此将他的图文搬过来了，如有侵权行为，请联系我删除，谢谢！
????????最近在研究IAP，在实现Flash半页写入时(FLASH_ProgramHalfPage)出现了问题。我按照官网给的flash操作例程：解锁flash -> 擦除 -> 半字写入 -> 检验数据。
????????程序下载到MCU，运行到 FLASH_ProgramHalfPage() 函数时，程序卡死，并导致STLink无法下载，显示无法停止Cortex-M设备（如图1）。下载程序只能在复位按钮复位MCU瞬间将程序下载进去。
图1
MCU无法下载程序，原因可能是Flash写入操作错误，导致Flash锁住。
为找到原因仔细阅读数据手册，手册相关部份截图（图2）（图3）
图2
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图3
发现 FLASH_PECR 寄存器 PROG 位描述是Flash字写入时候不需要置1
仔细分析 FLASH_ProgramHalfPage() 库函数中半页写入，实际是连续写入32个字(图4)，所以在半页写入时不需要将 PROG置位，但是库函数中却置位了（图5），这应该是库函数的一个BUG。
图4
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图5
????????取消 PROG 置位后，程序可以正常运行，实现了Flash半页字写入。同时进行Flash读取与写入数据对比校验，数据正确。
二、FLASH_ProgramHalfPage半页写入耗时从100ms提升到3ms的方法
? ? ? ? 上面一章确实可以将FLASH_ProgramHalfPage半页写失败的问题解决掉了。但是，我在测试中发现，FLASH_ProgramHalfPage每次调用竟然都需要耗时100毫秒。下面是我用一个IO口和逻辑分析仪抓波形的方法验证半页写耗时的情况：
#if 1
#define TEST_PORT GPIOA
#define TEST_PIN GPIO_PIN_0
#define TEST_L HAL_GPIO_WritePin(TEST_PORT, TEST_PIN, GPIO_PIN_RESET)
#define TEST_H HAL_GPIO_WritePin(TEST_PORT, TEST_PIN, GPIO_PIN_SET)
#define TEST_STATUS HAL_GPIO_ReadPin(TEST_PORT, TEST_PIN)
#endif? ? ? ?代码段1：PA0宏定义
????????上面代码定义了PA0作为测试用途，初始化时默认拉高。
__RAM_FUNC HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_HalfPageProgram(uint32_t Address, uint32_t* pBuffer)
{
uint32_t primask_bit;
uint32_t count = 0U;
HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASHRAM_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
if(status == HAL_OK)
{
/* Disable all IRQs */
primask_bit = __get_PRIMASK();
__disable_irq();
/* Proceed to program the new half page */
SET_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_FPRG);
//SET_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_PROG);
TEST_L; //写Flash前将PA0拉低
/* Write one half page directly with 32 different words */
while(count < 32U)
{
*(__IO uint32_t*) ((uint32_t)(Address + (4 * count))) = *pBuffer;
pBuffer++;
count ++;
}
TEST_H; //写Flash后将PA0重新拉高
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASHRAM_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
/* If the write operation is completed, disable the PROG and FPRG bits */
CLEAR_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_PROG);
CLEAR_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_FPRG);
/* Enable IRQs */
__set_PRIMASK(primask_bit);
}
/* Return the Write Status */
return status;
}? ? ? ?代码段2：在FLASH_ProgramHalfPage函数中添加PA0的控制，测试耗时
????????上面代码是在FLASH_ProgramHalfPage函数中，写FLash前将PA0拉低，写完之后重新将PA0拉高。
? ? ? ? ?上图是用分析仪看到的结果，图中可以看到FLASH_ProgramHalfPage函数消耗了100多毫秒，这如果是在写入的数据量多的情况下是不能接受的。
? ? ? ? 翻了一下数据手册，发现半页写消耗的时间应该是在3点几毫秒而已。
? ? ? ? ?那么，是什么原因导致实测和手册上描述的不一样呢？我们再看手册：
? ? ? ? 看到没？原来手册上面写得很清楚了。“Half Page Write is possible only from SRAM
”?！！！
? ? ? ? 在请教公司一位大神之后，终于找到了解决办法，那就是：
????????1、首先，将FLASH_ProgramHalfPage函数所在的文件stm32l1xx_hal_flash_ramfunc.c，以及stm32l1xx_hal_flash_ex.c文件，将该俩文件中的所有函数设置为在SRAM中运行。设置方法如下面两图所示：
?
? ? ? ? ?设置完后编译，我们可以打开.map文件查看一下，FLASH_ProgramHalfPage函数确实已经在SRAM中了。
? ? ? ? ?2、然后，再将FLASH_ProgramHalfPage函数内之前注释的SET_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_PROG);重新打开：
? ? ? ? 其实，如果认真看并且有经验的话，FLASH_ProgramHalfPage函数上面已经有说明的了，只是之前没往心里去而已。从这点可以看出，经验真的很重要！！！
? ? ? ? ?经过上面两点的修改之后，FLASH_ProgramHalfPage函数的消耗时间确实与手册上面的一致了：
?
三、吃过的亏
? ? ? ? 在上面第二章的调试过程中，遇到了一个问题，在将FLASH_ProgramHalfPage函数设置到SRAM后，我在如下面的FLASH_ProgramHalfPage函数中加入PA0的电平切换，用来验证写FLash的耗时。结果Debug的时候发现，程序一直死在FLASH_ProgramHalfPage函数里出不来了。
__RAM_FUNC HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_HalfPageProgram(uint32_t Address, uint32_t* pBuffer)
{
uint32_t primask_bit;
uint32_t count = 0U;
HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASHRAM_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
if(status == HAL_OK)
{
/* Disable all IRQs */
primask_bit = __get_PRIMASK();
__disable_irq();
/* Proceed to program the new half page */
SET_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_FPRG);
SET_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_PROG);
#if 1
TEST_L;
#endif
/* Write one half page directly with 32 different words */
while(count < 32U)
{
*(__IO uint32_t*) ((uint32_t)(Address + (4 * count))) = *pBuffer;
pBuffer++;
count ++;
}
#if 1
TEST_H;
#endif
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASHRAM_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
/* If the write operation is completed, disable the PROG and FPRG bits */
CLEAR_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_PROG);
CLEAR_BIT(FLASH->PECR, FLASH_PECR_FPRG);
/* Enable IRQs */
__set_PRIMASK(primask_bit);
}
/* Return the Write Status */
return status;
}? ? ? ? 于是乎，将PA0的电平切换操作抽出来在FLASH_ProgramHalfPage函数外面来操作，就OK了。这个亏虽然解决了，但是目前还未得知为什么！！！有大神说可能是因为FLASH_ProgramHalfPage函数前解了锁，而且该函数是在SRAM中运行，因此在该函数内调用非SRAM中的函数就要从Flash中读取，所以就出错了。这个说法不知道真假，反正我也不是很理解，如果有大神知道的可以赐教，谢谢大家！！！
TEST_L;
ret = HAL_FLASHEx_HalfPageProgram( flash_addr, p_actual );
TEST_H;