[嵌入式]STM32F7---＞Internal Flash

STM32F767IGT6D的FLASH大小为1MB

文章目录

• Flash
• • 闪存模块
  • 闪存的读取
  • 闪存的编程和擦除
  • • STM32F767的标准编程步骤

Flash

闪存模块

• 模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
  STM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000

• 主存储器
  存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
  在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB

• 系统存储器
  存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动

• OTP区域
  一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。

• 选项字节

闪存的读取

为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

• 等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
• STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
  ??????????????data=(vu32)addr;
  将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
  类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

闪存的编程和擦除

• 执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
• 在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。
• STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下

  名称	缩写
  Flash访问控制寄存器	FLASH_ACR
  Flash密匙寄存器	FLASH_KEYR
  Flash选项密匙寄存器	FLSAH_OPTKEYR
  Flash状态寄存器	FLASH_SR
  Flash控制寄存器	FLASH_CR
  Flash选项控制寄存器	FLASH_OPTCR
  Flash选项控制寄存器1	FLASH_OPTCR1

• STM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
• STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
  
• FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

STM32F767的标准编程步骤

1. 检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
2. 将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
3. 针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
4. 等待BSY位清，完成一次编程。

• 以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
  1. 确保编程地址已擦除
  2. 需要先解锁FLASH_CR
  3. 变成操作对OPT区域也一样