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[嵌入式]ASEMI高效恢复二极管型号之US1G |
编辑-Z US1G参数描述 型号:US1G 封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A? ?400V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.3V 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):50ns 引线数量:2 US1G的电性参数:正向平均电流1A;反向峰值电压400V US1G的包装方式:5000pcs/盘 ? US1G的特征: 1、内置应变消除装置,非常适合自动放置 2、玻璃钝化芯片结 3、快速切换实现高效率 4、高温焊接260 /10 秒 5、塑料包装保证实验室可燃性 US1G的机械数据: 1、外壳:玻璃钝化芯片上的 JEDED DO-214AC 模压塑料 2、端子:镀焊,可焊 3、极性:色带表示阴极端 4、重量:0.002盎司,0.064克 以上就是ASEMI高效恢复二极管型号之US1G的详细参数和特征。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。 ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。 ? |
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