同第一章作业，这回的作业大部分也在第二章练习题详解（想要知道题涉及的具体知识点走这里）中出现过。但我这回依然做错了三道(￣△￣；)
p.s. 练习题指学习通看视频那部分带的习题，作业题是老师发布的。
第二章作业
一.单选题
1、EEPROM是指（ ）。
A、读写存储器
B、只读存储器
C、闪速存储器
D、电擦除可编程只读存储器
正确答案： D
现代主存储： ROM（read only memory，只读存储器）、RAM（random access memory，随机存储器）。
ROM： MPOM（mask read only memory，掩模式“屏蔽只读存储器”）、可编程的ROM（programmable ROM，PROM）、可擦除可编程ROM（erasable programmable ROM，EPROM）。
EPROM： UVEPROM（紫外线擦除FPROM）、EEPROM（电可擦除EPROM）。 RAM：SRAM（static RAM，静态RAM）、DRAM（dynamic RAM，动态RAM）
2、可以作为寄存器或缓冲存储区的存储器是（）
A、PROM
B、SRAM
C、DRAM
D、FLASH
正确答案： B
3、根据磁表面存储原理，所采用的数字磁记录格式中，（）不具有自同步能力，即无法从读取的脉冲序列中提取出时钟信号。
A、归零制（RZ）
B、不归零制（NR）
C、调相制（PM）
D、调频制（FM）
正确答案： B
磁记录方式
归零制（RZ）：提供自同步能力。记录密度低，抗干扰能力差，
不归零制（NRZ）：没有自同步能力。抗干扰能力好.
调相制（PE、PM）：有自同步能力，抗干扰能力强，但频率较窄。
调频制（FM）：具有自同步能力。
4、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（ ）。
A、解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B、扩大主存贮器容量
C、扩大CPU中通用寄存器的数量
D、既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量
正确答案： A
5、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是（ ）。
A、8，512
B、512，8
C、18，8
D、19，8
正确答案： D
512K = 219K .都要转化为2的指数形式，地址线是19，数据线是8.
6、某单片机字长32位，其存储容量为4MB。若按字编址，它的寻址范围是（）。
A、0-1M
B、0-4MB
C、0-4M
D、0-1MB
正确答案： A
寻址范围，又叫寻址空间，一般指的是CPU对于内存寻址的能力。通俗地说，就是能最多用到多少内存的一个问题
按字编址，就是按一个存储字长是32位，就是指1字=32bit = 4B
所以存储容量的单位转化为B，存储容量为（4 * 1024 * 1024 ） B
4MB = 2 22 B
寻址范围为 存储容量/存储字长 = 222 / 4 = 2 20 = 1M
7、
A、该存储器容量的扩展为位扩展，扩展后的存储容量是：1K×8位
B、该存储器容量的扩展为字扩展，扩展后的存储容量是：4K×8位
C、该存储器容量的扩展包含了位扩展和字扩展，扩展后的存储容量是：4K×8位
D、该存储器容量的扩展包含了位扩展和字扩展，扩展后的存储容量是：4K×4位
正确答案： C
二.多选题
1、用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 （ ） 相应地并联在一起。
A、数据线
B、地址线
C、片选信号线
D、读写控制线
正确答案： BCD
三.填空题
1、（ ）是计算机的记忆部件。
正确答案：存储器
2、（ ），指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间，其时间单位为ns。
正确答案：存储周期；读取周期；读周期
3、（ ），单位时间里存储器所存取的信息量，通常以位/秒或字节/秒做度量单位。
正确答案：存储器带宽
4、对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，为了解决这三方面的矛盾，计算机采用（ ）存储体系结构。
正确答案：三级；多级
5、存储器按存取方式分类，可分为（ ）存取和顺序存取。
正确答案：随机
6、半导体随机读写存储器RAM可分为 SRAM 和 （ ） 。
正确答案：DRAM
7、SRAM 比DRAM 的读写速度（ ），但价格高。
正确答案：快
8、半导体可擦可编程只读写存储器EPROM又可分为UVEPROM和（ ）EPROM。
正确答案：E
9、存储体的基本扩展方式有三种。其中，字数不变，位数扩展方式称为（ ）扩展方式。
正确答案：位
10、存储体的基本扩展方式有三种。其中，字数和位数同时扩展方式称为（）扩展方式。
正确答案：段
四.判断题
1、CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储容量与越大，访问存储器所需的时间越长。
正确答案：×
2、因为动态存储器是破坏性读出，必须不断地刷新
正确答案：×