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24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200V，漏极二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。
24N50参数描述
型号：24N50
封装：TO-247
特性：大电流MOS管
电性参数：24A 500V
芯片材质：GPP
二极管连续电流(Is)：24A
脉冲集电极电流(ICM)：96A
漏极二极管正向电压(VSD)：1.4V
漏极漏电流(IDSS)：50ua
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
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24N50场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm，加引脚长度为41.55mm，宽度为16.25mm，高度为5.05mm，脚间距为5.7mm。24N50具有高开关速度、低饱和电压、高输入阻抗等特性。
以上就是关于24N50-ASEMI的MOS管24N50的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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