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9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A，栅极漏电流(IDSS)为10uA，9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为9A，漏源电压为900V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。
9N90参数描述
型号：9N90
封装：TO-220
特性：大电流MOS管
电性参数：9A 900V
芯片材质：GPP
连续二极管正向电流(IS)：9A
脉冲二极管正向电流(ISM)：36A
二极管正向电压(VSD)：1.4V
栅极漏电流(IDSS)：10uA
反向恢复时间(trr)：550NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
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9N90大电流场效应管封装系列。9N90具有超低栅极电荷（典型值45nC），低反向传输电容（CRSS=典型值14pF），快速切换能力，改进的dv/dt能力，高耐用性等特性。
以上就是关于9N90-ASEMI的MOS管9N90的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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