AD7124芯片的调试闭坑总结
AD7124的评估板资料 https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/user-guides/EVAL-AD7124-8SDZ_UG-856.pdf
1，SPI通讯速率尽量不要大于5M，但是实测，短线情况下9M通讯正常。
2，SYNC引脚一定要拉高，拉低的话不转换。（之前我的电路，本引脚直接悬空，我本来调通了，然后运行了几天，居然停止转换了，实际读寄存器，都是正常的，检查电路也没有损坏，多放查找，这个引脚需要拉高才行，在官方的评估板资料里，也是这样接的，MGR坏得很，说明书里面并没说，如下图）。
3，有好多网友用官方驱动发现无法通过ADC_CONTROL寄存器控制内部基准，设置完以后，读取其他寄存器数据正常，唯独该寄存器读取为0.解决方法：寄存器写入的时候前后加10ms左右即可，太快会导致control寄存器写入失败。具体原因没有深究。所以对芯片初始化完成后务必要重新读取寄存器看是否写入成功。
4，注意选择参考电压，如果选择外部参考电压，首先保证外部连接了外部基准；如果选择内部基准，要保证ADC_CONTROL寄存器里把内部基准电压打开。否则的话转换会失败，结果出错。为了测试方便刚开始可以选择AVDD为基准。
5，REFOUT引脚，需要对地接一个0.1uF电容，否则会出问题。（这个我也是在网上看的，出什么问题，我也忘了，但是我记得，确实必须接0.1uF电容。在官方的评估板里，也是这样接的，MGR坏得很，说明书里面并没说，如下图）
6，在初始化写入AD7124寄存器前，最好一定读一次状态寄存器，否则可能写入寄存器失败。我在使用中，AD7124-8就不用读状态寄存器，每次AD重新上电，或者只是MCU重启，都能写入寄存器数据；但是同样的程序，只是芯片换成AD7124-4，就不许，后发现只要读一次状态寄存器，就正常了。实际就是读状态寄存器，清除上电复位标志。
7，AI引脚可以配置为读取内部20mv信号，我配置成读内部20mv信号，基准也采用内部基准2.5V（可以配置内部基准从REFOUT输出，我测量过，确实比较准），计算得出应该是18.9mv，也有网友说是就18mv，看来这一点和官方数据有点出入，不过也不算什么了。
8，精度问题，按官方文档，最高也就能到22位精度。我用本芯片做RTD测量电路，感觉也就能达到18位精度而已，这一点和官方文档说法其实还是比较吻合的了。我也没有对芯片做过多测试，我感觉最多也就能达20-21位精度，都还要比较理想的情况。
9，AD工作模式及校准：
连续转换模式(默认)：就是一直转换
单次转换模式：当ADC_CONTROL寄存器配置为单次模式，就对当前通道进行一次转换，然后转入待机模式。我拿来做了低功耗，需要测量时，就配置成单次转换模式，然后就不用管AD芯片了，它转换完会自动进入待机模式。
待机模式：寄存器内容会保持，具体看说明书吧，我只说一点，待机模式时，激励电流源会自动关断（不会修改IO_CONTROL_1寄存器内容，不要理解错了）。
关断模式：全部功能关闭，寄存器会复位，退出关断模式时，所有寄存器必须重新编程。
空闲模式：在内部零电平(失调)校准、系统零电平(失调)校准完成后，会自动进入空闲模式，（除失调寄存器外）寄存器内容不会改变。
内部满量程(增益)校、零电平(失调)校准：这两种模式，一般都是要同时执行的，一般不会单独只执行一个。所谓内部校准，就是在芯片内部，将 AI 输入端正负，分别与基准REF正负端短接，然后得出内部的偏移值、或定值。
执行 内部满量程(增益)校、零电平(失调)校准的过程：如果是单通道模式，先把其他寄存器配置好（如果不是单通道模式，那就一个一个通道的关闭吧），设置为 中功率 --> 空闲模式 --> 对应通道失调寄存器 写入0x800000（或上电复位值本身就是） --> 设置为 内部满量程(增益)校准模式 --> 校准完成自动进入空闲模式 --> 设置为 内部零电平(失调)校准 --> 校准完成自动进入空闲模式； 应当在校准完成后，读取 失调寄存器、增益寄存器的值，保存起来，然后以后上电、重启后，应在设置为 空闲模式/待机模式 时，才准写入这二个寄存器的值。
系统校准，也就是外部校准，需要在外部手动短接零电平 或 满量程电平，不过不需要设置 空闲模式、中功率那些，按理说，外部校准应该比内部校准准确度更好。
满量程校准，会重新设置 增益寄存器的值，零电平校准，会设置 失调寄存器的值。