尽管STM32 flash的擦写次数号称能达到≥10000次，但一为了保护flash，二为了提升程序烧录速度，我们可以选择在RAM中调试程序。以下仅为个人在实践中总结的经验。
硬件上：
将BOOT0与BOOT1引脚置1（短接至VCC）
软件上：
首先，点开魔术棒图标旁的项目管理器，新建一个烧录对象（Target），为了区分，这里命名为SRAM。
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新建完后，点击魔术棒打开项目配置，打开Target选项卡，按照芯片的RAM大小配置IROM1和IRAM1选项（示例中使用的芯片为STM32F407VE，RAM大小为131KB）。其中IROM1为RAM中虚拟FLASH的起始地址和大小 IRAM1为剩余RAM的起始地址和大小，这里我们将RAM等分成两份，一份从0x2000 0000开始，大小为0x1 0000；一份从0x2001 0000开始，大小也为0x1 0000。由于项目中使用到了C标准库，所以应勾选Use MicroLIB选项（MicroLIB是MDK针对ARM移植并精简过的标准库）
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接下来打开C/C++选项卡，在宏定义一栏加上VECT_TAB_SRAM，此举为了将中断向量表迁移至RAM中。
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宏的具体实现位于system_stm32f4xx.c中（不同的芯片文件名称略有不同）。
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然后打开Debug选项卡，选择调试器选项旁的Settings，打开Flash Download选项卡，在Download Function中选择Do not erase。RAM for Algorithm设置的是flash的烧录算法程序，我们只需要在Start填入剩余RAM的起始地址，Size中的内容不用改变。点击Address Range下的第一栏，在下方的Start和Size中填入IROM1的内容，点击确定。
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回到Debug选项卡，选中Load Application at Startup，取消选中后面的Run to main()，在下方的Initialization File中添加一个新建的.ini文件
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文件的内容如下:
//SRAM_DEBUG.ini
FUNC void Setup(void) {
SP = _RDWORD(0x20000000); //Setup Stack Pointer
PC = _RDWORD(0x20000004); //Setup Program Counter
_WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000); //Setup Vector Table Offset
}
FUNC void OnResetExec(void) {
Setup();
}
load xxx.axf?incremental //Load the Application
//xxx.axf填入项目Object文件夹中的.axf文件，必要时添加路径名，也可以将.ini文件直接放在Object文件夹下，这样就不用加路径名了
Setup(); //Setup for Running
g, main完成上述步骤后，点击下载，即可在RAM中运行和调试程序了。
效果如下：
?可以看到汇编的地址已经变成0x2000 xxxx了，这说明程序是运行在RAM上的。