??

CLR P2.7(使能信号先置低电平）

CLR P2.6（RS低电平）

CLR P2.5（RW低电平）

LCALL DELAY1(延时一段时间 对应时序图TAS)

CLR P2.7(使使能信号置低电平）

SETB P2.7(使能信号置换高电平）

MOV P0,#08H（输入08#对应指令）

LCALL DELAY1（延时一段时间，对应TC）

CLR P2.7

LCALL DELAY1

SETB P2.7

LCALL DELAY（此处延时大于60ms相当于读忙了）

这个程序段可以看作一个指令

写入数据：

同上? ???把CLR P2.6,改为SETB P2.6即可，其余相同

其中延时时间如上图，只要超过最小值即可，最好不要过长了。

三丶对12864的所有操作概括起来有4种：

1）、读忙状态（同时读出指针地址内容），初始化之后每次对12864的读写均要进行忙检测。（我每次写一次完整指令都延时一段时间，相当于读忙了，下面就不再赘述）

2）、写命令：所有的命令可以查看指令表，后续讲解指令的详细用法。写地址也是写指令。

3）、写数据：操作对象有DDRAM、CGRAM、GDRAM。

4）、读数据：操作对象也是DDRAM、CGRAM、GDRAM。

那我们要如何在12864上面显示图像或者字符呢？

下面就来介绍一下DDRAM

上图所对应的四个区是DDRAM所对应的在ST7920上面的地址，其中能够显示的只有壹贰区，那么我们只需要把字符所对应的数据写进DDRAM中，那么就可以让12864显示出我们想要的字符。

其中80H到87H为第一行

90H到97H为第二行（上半屏）

88H到8FH为第三行

98H到9FH 为第四行(下半屏）

下面我们来试着编写一下程序

（这几个步骤很重要，学会了步骤就学会了12864的使用）

*网上有带字库12864详细指令集，这里我就不打出来了，注意，我编写的输入指令的指令码是只对应DB0到DB7的，和下面绿框那种一样是没有RW,RS,E位的，那些位我在编指令的时候就设定好了。

（1）功能设定

• 设置DDRAM地址

对应指令1000 0000也就是给p0输入#80H

DDRAM从80H开始输入指令，12864的DDRAM横向地址会自动读取表中的数据，每输入两个16位的数据如#41H,#41H,地址会自动从80H跳到81H以此类推，网上有详细的运作方式，可以上网查阅。

上图很明显，我输入了三个#41H进80H中，12864就自动将第三个41#也就是大写A写进81H中，这里提一下，带字库DDRAM12864一个地址可以写一个汉字两个字母（厂家规定的，无法修改）

• 输入DDRAM地址

这里可以用查表的方式，一直往DDRAM写入数据，但是写进去的数据是这样的，先填满第一行，再填满第三行，再填满第二行，再填满第四行

，那我这里就采用查不同表的方式，设DDRAM起始地址为80H的时候只查16个数据,再设90H再查16个数据，以此类推。

下面我给仿真图和指令

(注意，这里仿真要带字库的12864，不带字库的不能成功仿真，带字库的模型上网搜）

我设置的引脚和开发板的设置引脚一致，直接插上去使用了，大家使用的时候可以看看开发板的原理图，一般都是一样的，不行就改引脚

那普通的字符可以了，那怎么画图呢，广告的需求肯定不能只有字符，还要有图案，那怎么定制呢。下面就来介绍另一个RAM,CGRAM,也叫绘图RAM。

这些都是点阵，绘图RAM就是给这些点阵置1或置0，可以看到其实它本来是32行×256列的，但是分成了上下两屏显示，每个点对应了屏幕上的一个点。要使用绘图功能需要开启扩展指令。然后写地址，再读写数据。

这幅图就是CDRAM对应的地址，其实也是12864实际的样子，水平位址对应着DDRAM的80H到8FH，一共16格，每8格对应一个半屏，共两个半屏。一格一行一共对应了16位的二进制数字那么半个屏幕就是16*8（共8格，一格16列）*32（32行），一个半屏32行，一个整屏就是16*8*32*2=128*64所以称之为12864屏幕（很重要，一定要理解了）

那看到上图bit0和bit15，可以知道，一个地址是先从高位读到低位置，看起来很麻烦。但是后面取字模软件可以帮你修改，那我这里向CGRAM输入还是像DDRAM一样，当然，CGRAM和DDRAM的地址是一样的，一旦读够16个二进制数字，也就是两个16进制数，也就是两个字节，就会自动加一，DDRAM从80H到81H,那CGRAM对应的地址也是一样下面会提到。这是x坐标，但是y坐标不会，y坐标要你输入了16个数值后自己修改，也就是写完一行后要自己改。

(我这里写得不太清楚，LCD12864点阵型液晶显示器总结 - 吃不了就兜着走 可以看一下这个作者写的他写的很详细）

??GDRAM的读写：

??首先说明对GDRAM的操作基本单位是一个字，也就是2个字节，就是说读写GDRAM时一次最少写2个字节，一次最少读2个字节。

??写数据：先开启扩展指令集（0x36）,然后送地址，这里的地址与DDRAM中的略有不同，DDRAM中的地址只有一个，那就是字地址。而GDRAM中的 地址有2个，分别是字地址（列地址/水平地址X）和位地址（行地址/垂直地址Y），上图中的垂直地址就是00H~31H，水平地址就是00H~15H,写 地址时先写垂直地址（行地址）再写水平地址（列地址），也就是连续写入两个地址，然后再连续写入2个字节的数据。这里列举个写地址的例子：写GDRAM地址指令是0x80+地址。被加上的地址就是上面列举的X和Y,假设我们要写 第一行的2个字节，那么写入地址就是0x00H(写行地址)然后写0x80H（列地址），之后才连续写入2个字节的数据（先高字节后低字节）。

下面说说指令，其实和DDRAM基本一致，就是写写入CGRAM指令要先写x坐标，再写y坐标，其余步骤基本一样，但是查表要注意了，因为我编写的程序RA寄存器只能读到256位置，那我要分成4个表才能读完整个屏

下面给出指令和仿真。

下面拉屏和闪烁我就简要说一下思路

闪烁我是通过不停地睡眠唤醒来实现，这里睡眠指令要开拓展指令，然后写一个循环和跳出循环的指令，通过两个按钮或者一个开关实现，也可以通过反白来实现，其实会写步骤就完成大部分了，剩余的其实都是不断地调试和检查错误。

拉屏（仿真跑不了卷屏）

功能：SR=1： AC5~AC0 为垂直卷动地址，SR=0：。

那这里要说一下了，怎么实现拉屏呢。其实12864里自带了一个指令叫做卷动地址设置，它规定了只会向上滚动，而因为一共是有64列的但是上面CGRAM为什么只有32行呢，那是因为其中

A0到A7对应第一个屏中实际的第三行，其实它们也是可以输入数据的，只是没使用卷动指令时无法看到，那我假设

设置拉屏的行数为16吧，那80H就到了原来的B0哪里，一整行都替换了，然后A0就到90H一行，90H就到80H,其实就是一行推着整个半屏都在运动，但是12864的一行实际上是80H到8FH，上下半屏都在动，但不会相互影响

实际的一行：

所以一整个屏都会移动

（下图是半个屏，下面因为我已经实现全屏不方便改了，就只看上半屏吧）

那我要怎么实现全屏滚动呢，那么A0和B0行就开始有用了，那我只要将80H

对应的行，假设是CGRAM中的y??00H，x80H向上移，那我就设置成看起来从下半屏的最下面开始往上面升起，那就是Y 32H??X??88H,这一行。那这就开始有思路了，那我吧80H到88H的数据一起输入到A8到AFH区域不就行了吗，以此类推90H区到98H的就输入到B8到BF中，88H的输入到A0,98H的输入到B0就ok了。

下面试一下

成功了（此处要说明一下，CGRAM的y坐标是到0到63，是可以设置到A0和B0位置的，网上教程说的不清不楚的，花费了我很多精力，上面说y是0到31是因为不设置卷动看不见，所以不显示）

说明书心得：

说实话，这次我选的课题确实不算难度大的那一批了，网上也有很多的教程，但是由于要全部用汇编实现，工作量大了很多，我以为很快就能成功，没想到过程真的是千辛万苦，一个是仿真，可以说网上带字库的仿真几乎没有，那个Proteus的带字库模型还要自己在网上买，不断调试，不断测试才终于和开发板的一致。

不断在网上搜索教程，看了半天居然是不带字库的，差点晕倒在桌子上。后面终于在网上找到ST7920的说明书，一看和天书一样晦涩难懂，没办法，一个个不会的知识点慢慢学，实在不行就先看了1602的，这里很感谢知乎的北鸮，他写的一篇文章超详细讲解，LCD1602电路与驱动 真的很详细清楚

然后是烧录的问题，烧录还好，因为网上的教程很详尽明白，没什么问题。然后就是不断地写程序，调仿真一直反复。然后不断地看网上作者们写的程序，吐槽一下，网上都是c语言的程序，汇编几乎没有，少有的几个甚至有语法错误，看的时候都有点头痛，那只好看着c语言思路来写汇编了，感谢网络上各位热心的作者，他们无偿地分享知识，而且教的很棒，真的非常感谢他们。