| Symbol 符号 | Parameter 参数 | 中文含义 | 详解 | 以快捷芯KJ006N06T规格书为例 规格书下载链接 |
| Channel | N、P、N+N、P+P、N+P | N管、P管、双N管、双P管、N+P管 | 代表不同的沟道 | N-Channel，标题已经标注这颗是N管 |
| Package | | 封装 | 不同的MOS管芯片有不同的封装形式 | TOLL-8L ，这是一种新型封装，可实现大电流、低内阻，是储能、BMS、电机驱动理想的MOS |
| Quantity | | 数量 | 一包的数量，一般订单量为该数量的整数倍 | 2000PCS，即一个小包装的数量 |
| Marking | | 丝印 | 用于标志产品的型号、晶圆型号、生产日期 例如YWWXXX，Y为年，WW为周，XXX为晶圆后三位 | 见Marking Information |
| G、 S、D | Gate、Drain、Source | 栅极、源极、漏极 | 栅级管脚接管理IC，源极、漏极 | 见2.Pin Description |
| VDS | Drain-source voltage | 漏-源电压、耐压值 | 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 | 60V，一般说的多少伏的MOS管指的就是这个参数 |
| ID | Conditions drain current | 漏极直流电流、漏电流、最大漏源电流、连续漏电流 | 正常工作时，漏极与源极间所允许通过的最大电流，一般是在表面温度25℃测试所得，这个参数会随结温度的上升而有所减小。MOS管的工作电流不应超过ID，实际开关电流通常小于ID 额定值@TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。 | 400A，25℃ 267A，100℃ 可以见过电流能力很强大 |
| IDM | Pulsed drain current | 最大脉冲漏电流 | 参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。 | 1200A |
| RDS(on) | Drain-source on-resistance | 漏源通态电阻、导通电阻 | 在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗，它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）。?故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。 | 10V时，典型值为0.65mΩ，这种超低内阻产品属于业界顶极水平，与英飞凌可以一较高下 |
| VGS | Gate-source voltage | 栅-源电压、门级开启电压、最大栅源电压 | 栅源两极间可以施加的最大电压，一般为：-20V~+20V。设定该电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 | ±20V |
| V(GS)th | Gate threshold voltage | 栅源阈值电压、开启电压(阀值电压)。 | 当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。该参数一般会随结温度的上升而有所降低，即当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。 | 2-4V |
| EAS | Repetitive Avalanche Energy | 单脉冲雪崩击穿能量 | 如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。 | 2800 mJ |
| IDSS | Zero gate voltage drain current | 栅-源短路的漏极电流 饱和漏源电流 | 栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流，一般在微安级。 | 1 μA |
| IGSS | Gate-body leakage current | 漏-源短路的栅极电流 栅源驱动电流或反向电流 | 特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流，由于MOS输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。 | ±100 nA |
| VSD | Diode forward voltage | 漏源间体内反并联二极管正向压降 | | 1.3 V |
| V(BR)DSS | Drain-source breakdown voltage | 漏源击穿电压 | 在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。 | 60V |
| Rth(j-a) | Thermal resistance from junction to ambient | 结到环境的热阻、结环热阻 | | 40 ℃/W |
| Rth(j-c) | Thermal resistance from junction to case | 结到管壳的热阻、结壳热阻 | | 0.25℃/W |
| Rg | Gate resistance | 栅极电阻 | | |
| gfs | Forward transconductance | 跨导 | 是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 | |
| Qg | Total Gate Charge | 栅极总电荷量 | 单位nC，纳库。达到导通状态时所需的总电荷量。Qg越小导通时间越短，开关损耗越小。 | 167nC，C是库伦，nC是纳库 |
| Ciss | Input capacitance | 输入电容、栅-源电容、门级电容 | 将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。 | 11574pF |
| Coss | Output capacitance | 漏-源电容、输出电容 | | 1836pF |
| Crss | Reverse transfer capacitance | 反向传输电容 | | 196pF |
| td(on) | Turn-on delay time | 导通延迟时间 | 导通延迟时间。从有输入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。 | 44nS |
| td(off) | Turn-off delay time | 关断延迟时间 | 断延迟时间。输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间。 | 154nS |
| tr | Rise time | 上升时间 | 上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。 | 132nS |
| tf | Fall time | 下降时间 | 降时间。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间。 | 137nS |
| PD | Power dissipation | 耗散功率 | 最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额. | 500W |
| Tj | operating junction temperature range | 最大工作结温 | 通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 | 175 ℃ |
| Tstg | storage temperature range | 存储温度范围 | | -55-175 ℃ |