一.计算题（共3题,100.0分）
1
有一个16K16位的存储器，由1K4位的动态RAM芯片构成（芯片内是64*64结构），问：
（1）总共需要多少RAM芯片？
所需RAM芯片数=16K16位/1K4位=64片
（2）采用异步刷新方式，如果单元刷新间隔不超过2ms，则刷新周期是多少？
ms是毫秒=0.001秒 us是微秒=0.000001秒 ns是纳秒=0.000000001秒 毫秒是一种较为微小的时间单位，1 毫秒 = 0.001 秒。
刷新周期=2ms/64=31.25us，所以可取刷新周期为30us
（3）若采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少个读/写周期？
64行芯片依次进行刷新，刷新一遍用 64 个读 / 写周期
正确答案：
（1）所需RAM芯片数=16K16位/1K4位=64片
（2）采用异步刷新方式，在2ms时间内分散地把芯片的64行刷新一遍，所以刷新时间各个=2ms/64=31.25us,所以可取刷新周期为30us（3）若采用集中刷新方式，设T为读/写周期，64行芯片依次进行刷新，则需要64个读写周期。
我的答案：
（1）(16K16)/(1k4)=64（2）2ms/64=31.3us（3）最少采用64个读/写周期
2
已知接受到的汉明码为0100111（按配偶原则配置），请问欲传送的信息是什么？
正确答案：
要求给出欲传送的信息必须给出正确的信息位，故此题首先应该判断收到的信息是否有错。纠错过程如下： 001 010 011 100 101 110 111 1 2 3 4 5 6 7 C0 C1 D1 C3 D2 D3 D4 0 1 0 0 1 1 1 P1=C0⊕D1⊕D2⊕D4=1⊕3⊕5⊕7=0⊕0⊕1⊕1=0 P2=C1⊕D1⊕D3⊕D4=2⊕3⊕6⊕7=1⊕0⊕1⊕1=1 P3=C3⊕D2⊕D3⊕D4=4⊕5⊕6⊕7=0⊕1⊕1⊕1=1P3P2P1=110,所以第六位出错，可纠正为0100101，则欲传送的信息是0101
我的答案：
要求给出欲传送的信息必须给出正确的信息位,故此题首先应该判断收到的信息是否有错.纠错过程如下:
0 1 0 0 1 1 1
C1 C2 b4 C3 b3 b2 b1
P1=C1 b4 b3 b1=0 0 1 1=0
P2=C2 b4 b2 b1=1 0 1 1=1
P3=C3 b3 b2 b1=0 1 1 1=1
P1=C1⊕b4⊕b3⊕b1=1⊕3⊕5⊕7=0⊕0⊕1⊕1=0 1 3 5 7
P2=C2⊕b4⊕b2⊕b1=2⊕3⊕6⊕7=1⊕0⊕1⊕1=1 2 3 6 7
P3=C3⊕b3⊕b2⊕b1=4⊕5⊕6⊕7=0⊕1⊕1⊕1=1 4 5 6 7
P2与P3同时出错，P1正常，那么b2出错，第6位出错，可纠正为01001101，即欲传输的信息为0101
3
设有一个1MB容量的存储器，字长为32位，问：
（1）按字节编址，地址寄存器，数据寄存器各为几位？编址范围为多大？
1MB=2的20次方B,地址寄存器20位，数据寄存器8位，编址范围为1MB
（2）按半字编址，地址寄存器，数据寄存器各为几位？编址范围为多大？
半字为16位，1MB=2的19次方x16，地址寄存器19位，数据寄存器16位，编址范围为2的19次方bit
（3）按字编址，地址寄存器，数据寄存器各为几位？编址范围为多大？
字为32位，1MB=2的18次方x18，地址寄存器18位，数据寄存器32位，编址范围为2的18次方bit
正确答案：
1MB容量的存储器，字长为32位：（1）按字节编址，1M=220，地址寄存器为20位，数据寄存器为8位，编址范围为1MB（2）按半字编址，半字为16位，则1MB=512K16位，512K=219，地址寄存器为19位，数据寄存器为16位，编址范围为512KW（3）按字编址，字为32位，则1MB=256K32位，256K=218，地址寄存器为18位，数据寄存器为32位，编址范围为256KW.
我的答案：
（1）按字节编址，1MB=2的20次方8=2的23次方，1M=2的20次方，地址寄存器为20位，数据寄存器为8位，编址范围为0-1M-1，即00000H-FFFFFH（2）按半字编址，半字为16位，则1MB=1M8位=2的10次方K8位=2的9次方K16位=512K16位，512K=2的19次方，地址寄存器为19位，数据寄存器为16位，编址范围为0-512K-1，即00000H-7FFFFH（3）按字编址，字为32位，则1MB=256K32位，256K=2的18次方，地址寄存器为18位，数据寄存器为32位，编址范围为0-256K-1，即00000H-3FFFFH
补充：字长是32位，就是指1字=32bit，该信息只有在按字编址时才有用。这里的字长说的是存储字长