选择ADS自带库进行设计，这个库是可以用户定义基板的库，而如WIN/UMS/OMMIC之类厂商的PDK库又不同，一般厂家会将基板材料substrate这部分内置在PDK中，这样就可以直接引用了。
因为一般来说，客户自己做的分立元件连接的PCB版和集成做的MMIC不同，所以这里我们是用PCB版的心态去做设计的。
?根据形状排布好，它的原理在于输入端口的微带线是Zo特性阻抗，而根据功分器原理，中间应该是根号二倍的Zo,所以我们需要各自用linecal计算出匹配到70.7欧姆下的微带线宽度W2和匹配到50欧姆的W1。
?因为功分器的目的就是分配功率，所以目前我们可以设定两端电压一致，做个最简单的结构。
为了防止2端和3端之间的泄露电流，我们在2端和3端之间加一个电阻来分流。
所以，S（2，3）也自然成了隔离度的指标，功分器主要看的就是隔离度够不够，然后再看S（2，1）增益的效果是不是达标，然后看S（1，1）和S（2，2）的端口泄露情况是不是OK。
基本上就这么一个优先级，至于像S（3，2），S（3，3）之类的，因为电压相同，所以基本上算是和S（2，3），S（2，2）一样的。
得到的结果是：
?基本满足指标，然后在这个过程中遇到一些报错和警告，还有一些奇怪的毛病，比如：版图生成的时候文字把图形都占据了，我的解决方法是设置PIN和文字的大小，可以在版图生成的时候在prefrences中修改，也可以在版图的工具栏中找到preferences中进行修改，不过修改完它不会一下子变化，需要重新加载才行。
?记录一下联合仿真需要的步骤，因为我觉得ADS每次EM仿真都需要去重新设置原理图中的性能非常不方便，所以去查了一下应该如何弄。
1.去掉之前的term，加上port
2.layout-EM-Component-Parameters，打开界面然后添加需要调试参数w2和l，这里暂时不加单位，因为版图中的变量参数上加了单位。
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?3.完成后双击1（右）的版图，设置各个参数的变量，如果在原理图中已经设置了，它就会直接显示。这里EM仿真模式在原理图中引用的时候是EM的版图形式，而如果是EM Cosi的模式则是另一种联合仿真格式，可以用元器件来表示。
这里频率需要和引用EMmodel的原理图仿真中保持一致，否则它会报警告，说后面频率的数据没有。
4.设置器件的仿真模式，采用emModel格式，emCosim的是另外一种联合仿真模式。
?这里有个问题，我并没有把除了微带线的电阻从EM仿真中踢出去，因为这要看厂家的PDK是EM模型准还是元器件模型准的问题，如果元器件更加接近厂内的PCM的值，那么就需要将电阻部分扣除出去，最后在原理图中仿真电阻和版图的联合；如果电阻也是EM更准，那么就需要在基板substrate中加入电阻所在层结构，否则可能会报错，联合仿真的时候也不需要删除。
一般来说，无源器件还是EM更加准确一点，虽然EM也无法完全表征实际的芯片版图最后做出来的bias,但是建模的精度也需要厂内长期的调试校准，并且并不是每个频段都保持一致的精准度，在接近自谐振区的部分，可能会不准。
而有源EM肯定是不准的，因为有源EM没有办法得到RF的很多参数特性，所以有源器件需要用元器件为主。
5.这样做完后，就需要增加opt和goal的控件去进行仿真了，和原理图一样，双击VAR控件，找到OPT设置，将它enable就可以了。
当然，如果要用手动tuning的话，就将手动tuing的打开enable，这边清楚clear就可以,其他模式等同。
修改random变成渐进收敛，这样速度精度都好一点，然后将变量替换成需要的命名。
我用opt试了一下，很慢，每次都要重新仿真，所以还是建议手动处理比较好，或者tune。
另一种联合EM仿真的模式说不定可能更方便一点，速度也更快一点。
规格基本上都满足：S11和S22<-20,S23<-25,S21>-3.3
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这只是最简单的功分器，其他还有三端/四端，电压也有不相同的设定，这种需要看文献去复现了。
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