存储器的种类：分为易失性存储器和非易失性存储器
易失性存储器(掉电数据会丢失、读写速度快)：RAM(random access memory随机存储内存)又分为DRAM（动态随机存储内存）和SRAM（静态随机存储内存）
????DRAM（动态随机存储内存）内部电路原理???
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??SRAM（静态随机存储内存）内部电路原理
有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM
| 特性 | DRAM | SRAM |
| 存取速度 | 较慢 | 较快 |
| 集成度 | 较高 | 较低 |
| 生产成本 | 较低 | 较高 |
| 是否需要刷新 | 是 | 否 |
SDRAM(Synchronous DRAM):时钟同步动态随机存储内存,在上升沿时读写数据
DDR|| SDRAM(内存条DDR2):在上升/下降沿时读写数据，时钟极限频率可达800MHZ
DDR||| SDRAM（内存条DDR3）:在上升/下降沿时读写数据，时钟极限频率可达1600MHZ
程序运行时缓冲数据存放在RAM
非易失性存储器（掉电数据不会丢失、读写数据慢）
ROM（Read Only Memory）
EEROM：可重复擦写、电擦除、使用方便，并且读写数据是以位来读写。
FLASH（又称为闪存，可擦除、意是就是可以时常下载程序，比EEROM容量大，擦除一般以字节为单位。）:分为NOR FLASH和NAND FLASH（SSD硬盘）。NOR flash一般用来存储程序；
像我们的单片机的FLASH都是NOR FLASH程序在片上执行，可理解随机读取里面的数据，读取速度快（地址和数据分开的）、并且优势是以字节为读写数据，NAND FLASH 是以快为读写。
NAND FLASH一般用来存储数据。
| 特性 | NOR FLASH | NAND FLASH |
| 同容量存储器成本 | 较贵 | 较便宜 |
| 集成度 | 较低 | 较高 |
| 介质类型 | 随机存储 | 连续存储 |
| 地址线和数据线 | 独立分开 | 共用 |
| 擦除单元 | 以“扇区块”擦除 | 以“扇区块”擦除 |
| 读写单元 | 可以基于地址字节读写 | 必须为“块”为单位读写 |
| 读取速度 | 较高 | 较低 |
| 写入速度 | 较低 | 较高 |
| 坏快 | 较少 | 较多 |
| 是否支持XIP | 支持 | 不支持 |
单片机中flash和sram都有存储功能，但是存储的类型的不一样，flash是闪存一般存储烧录的源码程序的，固化断电不要改变，相对于我们电脑的ROM功能（外存）；而sram存储的一般是cup运行时产生的临时文件，相对于电脑的RAM功能（内存）