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[嵌入式]蓝桥杯客观题知识点汇总(自我总结)以及主观题Debug痛点

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目录

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客观题总结知识点:

单片机部分(总结近12届以来的频繁考点)

数电部分(自我总结,总结因人而异)

模电部分:

主观题Debug痛点:


写在前面:

客观题总特点:杂且基础。

客观题分单片机,C语言 ,数电 ,模电 这四部分,其中单片机和数电模电是客观题的重点(毕竟就那十几道题目,对于小白萌新而言不定项错选漏选都不得分就是一个挑战,这要求选手把知识储蓄的下限拉高)C语言无疑就是送分(对于科班出身的且刷过一些算法题的选手而言。)

本篇文章是个大杂烩,啥都往里装,真是一件美逝!

客观题总结知识点:

单片机部分(总结近12届以来的频繁考点)

比赛官方会给一个资料包,资料包里有手册,手册里关于单片机的都有,主要就是难找。如果有多余时间,经常看看大有好处。

1:_nop_是软件延时的基本单位,而定时器的中断才是高效的延时。_nop_的时钟周期与主频频率有关。

2:AUXR为辅助寄存器。

3:stc15f2的芯片速度是传统8051(12T)的12倍,但定时器兼容了12T模式的定时器。12T表示一个指令周期为12的时钟周期(振荡周期,晶振周期),而1T则1个指令周期就为1个时钟周期。所以12T模式的定时器的最大定时为1s/12MHZ*12*65535=65.535ms,(1us加1),而1T的定时器加1只需要1us/12=83ns,所以最大定时为5.43ms,所以12T模式的定时器比1T的定时器能定时的时间更久(以上说的是在硬件上,你软件上单独设标志定时来比较就没意义了)。

4:stc15F2k60s2的存储区:

全局变量存储在SRAM 2K的容量(内部256字节和外部1792字节,外部相对较慢,可用来存放数组)中 ,在此可以定义128个unsigned int?,一般可以使劲造。

?以及60K的flash用来存程序代码。

5:定时器能唤醒处于掉电模式的单片机

6:PC寄存器存储下一条要执行的指令地址

7:SCON为串口控制寄存器。

8:超声波传感器基于压电效应。

9:地址码能被8整除,能进行位寻址,即末位为0或8(十六进制表示)

10:单片机相应中断条件:只有在当前指令执行完毕后才能够响应中断请求,故不能任意时刻都响应中断请求。

11:CLRA为清零指令。

12:堆栈在单片机中是地址向上增长的。

13:外部中断响应后,中断标志位会硬件自动清零,也可软件查询清零。

14:C51中一般的指针变量为3个字节,第一个字节大小表示存储器类型,第二 ,三个字节指数据地址的高八位和低八位地址。

15:串口数据发送和接受缓冲器为SBUF,能同时发送和接受数据。

16:中断优先级顺序:

17:当扩展外部存储器时,P2口输出高八位地址,P0口输出低八位地址和数据位。

18:IIC总线的启动信号和停止信号只能由主器件发起。

20:STCISP有内部高精度时钟和外部时钟源,不一定要强制使用哪一个。

21:有些机器中将PSW称为标志寄存器FR(Flag Register)。 在8086/8088 CPU 中,PSW是一个16位寄存器,用于寄存单签指令执行后的某些状态,即反映指令执行结果的一些特征信息

22:定时器的工作模式

23:波特率是以位为单位的。

24:stc内部有3个定时器,工作模式最少的是定时器2.

------------------------------------------------------------------分隔线------------------------------------------------------单片机写是写不完的,还得看手册,而且我发现我越写越觉得自己的无知。

数电部分(自我总结,总结因人而异)

1:

电流大小当然是越热越兴奋~所以电子移动速度更快,电流更大。

2:TTL电路中,输入端悬空,等效于接入高电平。

3:三极管作为开关时,工作区域是饱和区和截止区(开或关)。

4:

?二级管的工作特性,导通后两端电压差为0.7v,二极管正向导通的条件是:给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压(锗管是约0.3V),导通后二极管两端的电压基本上保持不变。 1、二极管加外正向电压(外加反向电压不能导通的)。 2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。

?用真值表来进行计算,AB共有四种组合当 A =0;B=0时 Y=0.7V 和当A=1 B=1也就是都为高电电平(大于1.4v为高电平)D1 D2都导通,其余两种组合只有接低电平的那个二级管导通。

5:能实现线与功能的是OD门和OC门。

?当EN'=0有效时 Y=A' ,当EN'=1时Y呈现出高阻态。

——————————————————分割线————————————————————

模电部分:

1:ADC/DAC的分辨率与允许输入的电压范围,输出二进制信号的位数,运算放大器的放大倍数有关。

理解模数转换:

比如说RB2电位器或者是光敏电阻 读出来的值是0-255 为2^8-1,那么就有一个映射,以0-255去映射0-5v的电压,所以分辨率也就为5v/255,位数越大,精度越高,越准确。以此类推数模转换也是同理。

2:运算放大器:

特点:虚断,理想运放的输入电流为零。虚短:理想运放的差模输入电压等于零。

3:

4:

——————————————————分割线——————————————————————

主观题Debug痛点:

1:一定要注意数组是否越界,一旦越界,你不知道会发生什么,毕竟内存要那么大,曾经有一次越界导致数码管挂彩。

2:epprom的连续读取一定要间隔5ms,不然数据会非常不准确。

3:控制程序运行的时间,对于传感器建议分时采样读取,尽量不要使用延时函数,不然会让后面面的程序由于定时器标志等待得不到执行而饥饿。

4:iic的0x01和0x03的连续读取要每个连续读两次,第一次读,第二次取,如果不读两次也可以,直接读0x01,再读0x03,然后数据刚好完美地进行了交换。因为后读取的取到了前面读取的值。

5:注意中断处理标志位的时候要及时清除标志位。

6:对于PWM 1Khz 的频率调led亮度放中断里去处理,因为一趟while循环有时会跑1ms,us级的标志根本得不到处理而饿死。

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加:2022-04-06 23:22:24  更:2022-04-06 23:22:38 
 
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