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flash写入
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flash写入

内存大小端。我觉得叫高低端更好记，stm32内存中，数据低位存放在地址低端，所以是小端。按字节写入的时候按照bin文件字节顺序写入，如果按字或半字写入，则按小端排好后写入flash。
flash擦除。flash写入前需要先擦除，这里按页擦除，需要知道一页多少字节。我用的是stm32f103vet6，一页2K字节

HAL库页擦除示例：

		uint32_t PageError;
		FLASH_EraseInitTypeDef my_erase_app;

		my_erase_app.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除方式
		my_erase_app.PageAddress = erase_addr;  		//地址
		my_erase_app.NbPages = 1;						//页数
		HAL_FLASH_Unlock();
		HAL_FLASHEx_Erase(&my_erase_app, &PageError);
		HAL_FLASH_Lock();

flash写入。擦除后写入flash，HAL库写flash示例：

		HAL_FLASH_Unlock();
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, erase_addr, dat); //写入方式，地址，数据
		HAL_FLASH_Lock();

其他：flash在解锁后擦除，擦除后可以在擦除范围内连续写入，操作后上锁

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示例：

(*((void(*)()) (*((volatile uint32_t*)(APP_ADDR+4)))))();

说明：

APP_ADDR+4，升级程序地址加4即复位向量位置，先把APP_ADDR+4强转为地址：

(volatile uint32_t*)(APP_ADDR+4);

引用即读出flash中的数据，即复位向量地址：

*((volatile uint32_t*)(APP_ADDR+4));

把复位向量地址强转为函数指针:

(void(*)())(*((volatile uint32_t*)(APP_ADDR+4)));

引用该函数指针：

(*((void(*)())(*((volatile uint32_t*)(APP_ADDR+4)))))();

好了，如果flash中APP_ADDR+4位置数据有效就可以跳过去了
其他：堆栈栈顶检查，跳过去用户程序前可以先做一些检查，如APP_ADDR处，即升级程序写入的flash地址，开始四个字节存放的是栈顶地址，栈顶地址=0x2000 0000 + (rwdata+zidata)，官方IAP程序这样写：

/* Test if user code is programmed starting from address "APPLICATION_ADDRESS" */
    if (((*(__IO uint32_t*)APPLICATION_ADDRESS) & 0x2FFE0000 ) == 0x20000000)
    {
      /* Jump to user application */
      JumpAddress = *(__IO uint32_t*) (APPLICATION_ADDRESS + 4);
      JumpToApplication = (pFunction) JumpAddress;
      /* Initialize user application's Stack Pointer */
      __set_MSP(*(__IO uint32_t*) APPLICATION_ADDRESS);
      JumpToApplication();
    }