BQ4050开发学习（一）：Protections参数的设置
2.2电池欠压保护：CUV
如果电池电压低于CUV一段时间，BQ4050将会关断mos避免进一步破坏电池：第一个参数为欠压保护电压，第二个参数为保护延迟时间，第三个参数为欠压保护后恢复电压。
2.3电池过压保护COV
电池在超过COV后并持续Delay的时间后会触发过压保护，直到恢复到设置好的恢复电压才会重新打开MOS
2.4充电过流保护OCC
充电过流保护有两个OCC参数，当充电电流超过OCC1时，会发出警告但不会做出动作，当超过OCC2并超过Delay时间后，会关断MOS以保护电池
2.5放电过流保护OCD
放电过流保护有两个参数OCD1与OCD2，当放电电流超过OCD1，BQ4050会做出警告但没有动作，当电流超过OCD2并Delay一段时间后，BQ4050会关断MOS
2.6基于硬件的保护
通常，当在延迟时间之后检测到故障时，CHG 和 DSG FET 都将被禁?（跳闸阶段），并且内部故障计数器将递增（警报阶段）。由于两个 FET 均关闭，因此电流将降? 0 mA。恢复时间过后，CHG 和 DSG FET 将再次开启（恢复阶段）。如果警报是由电流尖峰引起的，则故障计数将在Counter Dec Delay时间后递减。如果这是?个持续的故障条件，设备将在延迟时
间后进?跳闸阶段，并重复跳闸/锁定警报/恢复周期。每次器件经过跳闸/锁存警报/恢复周期时，内部故障计数器都会递增。?旦内部故
障计数器达到锁存限制，保护进?锁存阶段，故障只能通过锁存复位条件清除。
可拆卸包([NR] = 0) 的恢复条件基于 PRES 引脚上的转换，?嵌?式包([NR] = 1) 的恢复条件基于复位时间。
AOLD为放电过载保护延迟
ASCC为充电短路保护延迟
ASCD为放电短路保护延迟
2.7温度保护
BQ4050共有四个NTC温度传感器以及一个内部温度传感器，如果不使用的NTC必须在电路上予以接地并且在设置中禁用掉
下图中禁用了TS3,TS4，开启了TS1,TS1，TSint。
此外，每个TS外部NTC都可以设置为FET(保护MOS)和电池温度的来源
将此位设置为1将作为FET的温度来源，将此位设置为0将作为电池温度的来源（前提是此TS已经被Enable）
2.8充电过温保护OTC
当电池温度（TS）超过OTC设定的值并在延迟Delay后，BQ4050将会关闭MOS来保护电池
2.9放电过温保护OTD
当电池温度（TS）超过OTD设定的值并在延迟Delay后，BQ4050将会关闭MOS来保护电池
2.10FET（保护MOS）过温保护OTF
当FET温度超过OTF设定的值并在延迟Delay后，BQ4050将会关闭MOS来保护MOS管
2.11充电欠温保护UTC
当电池温度低于过UTC设定的值并在延迟Delay后，BQ4050将会关闭MOS来保护电池
2.12放电欠温保护UTD
当电池温度低于过UTC设定的值并在延迟Delay后，BQ4050将会关闭MOS来保护电池
2.13主机看门狗保护HWD
当超过HWD的设置时间没有对BQ4050进行通讯时，BQ4050会阻止使用电池组
2.14预充电保护PTO
当电池组充电低于充电PTO电流并且持续Delay时间后，BQ4050将暂停充电来保护电池组长时间充电
2.15快充超时保护CTO
当电池组充电低于充电CTO电流并且持续Delay时间后，BQ4050将暂停充电来保护电池组长时间充电
与PTO不同的是，这是一个完整的充电过程
2.16过充保护OC
当电池组剩余容量大于充满容量并且持续一段时间后，将禁止充电
2.17过冲电压保护CHGV
当提供的充电电压大于电池组电压+CHGV阈值并持续一段时间后，BQ4050将断开充电以保护电池组
2.18过冲电流保护CHGC
当提供的充电电流大于电池组电流+CHGC阈值并持续一段时间后，BQ4050将断开充电以保护电池组，恢复电流必须设置为负值
2.19PCHGC
当提供的充电电流小于电池组电流+PCHGC阈值并持续一段时间后，BQ4050将断开充电以保护电池组，恢复电流必须设置为负值
