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[嵌入式]STM32F429 SDRAM片外内存读写笔记

硬件采用 STM32F429 + W9825G6KH 32M SDRAM
SDRAM设置参照 【正点原子】阿波罗STM32F429开发板资料 实验13 SDRAM实验

片外RAM地址访问:
方式一:直接地址访问

#define Bank5_SDRAM_ADDR    ((u32)(0XC0000000)) //SDRAM开始地址

unsigned int temp=123456789*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+n)=temp;	//写入
temp=*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+n)//读出

因为32位数据会占用4个BYTE内存地址,所以下一个可读写的地址为*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+n+4)

方式二:宏定义函数

#define SDRAM_ADDR32(addr) *((vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+addr*4))

SDRAM_ADDR32(addr)=temp;	//写入
temp=SDRAM_ADDR32(addr))//读出

方式三:定义数组指定片外地址

u16 testsram[n] __attribute__((at(0XC0000000)));
__align(32) u8 mem2base[n] __attribute__((at(0XC0100000)));

align(32)定义数组为 32 字节对齐
首先,attribute,这个是 用来指定变量或结构位域的特殊属性,该关键字后的双括弧中的内容是属性说明。
然后是at关键字,该关键字可以用来设置变量的绝对地址,也就是你可以通过这个关键字,指定某个变量处于内存里面的某个给定的地址.
不能在函数内定义, 局部变量是存放在栈区的, 栈区由编译器自动分配释放, 不能自定义绝对地址 你可以放在函数外,作为全局变量,把大的数组定义在函数内部,栈都溢出了。

方式四:指针访问


volatile unsigned int  *p_test = (vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+n);

p_test[0]=temp;//写入
p_test[1]=temp+1//写入,此时SDRAM地址自动+4;
.......

temp=p_test[n]//读出

//----------------------------------------------------------

volatile int  *p_test = (volatile int*)(Bank5_SDRAM_ADDR+10);
p_test=(int *) malloc(sizeof(int)*n);
if(p_test== NULL) {
		statue=FALSE;
		return statue;
	}
p_test[0]=-123456789;
p_test[1]=-987654321;
//     p_test[0]=*(volatile int*)(Bank5_SDRAM_ADDR+10);
//     p_test[1]=*(volatile int*)(Bank5_SDRAM_ADDR+14);
printf("p_test[0] = %d\n", p_test[0]); 
printf("p_test[1] = %d\n", p_test[1]); 

free(p_test);
p_test=NULL;
//测试OK

Keil MDK 使用malloc()&free()
1、勾选MicroLIB
2、#include “stdlib.h”
或程序包含头文件:rt_heap.h,stdlib.h。注意不要勾选MicroLIB。???

问题:
不能够直接读写浮点数

float  *p_test = (float*)(Bank5_SDRAM_ADDR+n);

这样读写*p_test程序会死掉。
现在只能通过float–>unsigned int–>float 方式读写,比较麻烦。

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加:2022-04-15 00:16:35  更:2022-04-15 00:18:54 
 
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