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35P03采用的TO-252封装，是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A，最大功耗(PD)为53W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS，关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数是：漏源电压(VDSS)为-30V，栅源电压(VGSS)为±20V，漏极连续电流(ID)为-35A，二极管正向电压(VSD)为-1.2V，其中有3条引线。
35P03参数描述
型号：ASE35P03
封装：TO-252
特性：MOSFET场效应管
电性参数：35A?30V
漏源电压(VDSS)：-30V
栅源电压(VGSS)：±20V
漏极连续电流(ID)：-35A
漏极电流脉冲(IDM)：-80A
最大功耗(PD)：53W
开启延迟时间(td(on))：15NS
关断延迟时间(td(off))：44NS
二极管正向电压(VSD)：-1.2V
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
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35P03场效应封装系列。它的本体长度为6.1mm，加引脚长度为10.1mm，宽度为6.6mm，高度为2.3mm，脚厚度为0.5mm。
以上就是关于ASE35P03-ASEMI场效应管35P03的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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