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MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是：漏源电压(VDSS)为1200V，栅源电压(VGSS)为±20V，集电极电流(IC)为40A，二极管正向电压(VSD)为1.9V，二极管反向恢复时间(trr)为55NS，其中有3条引线。
MP40N120参数描述
型号：MP40N120
封装：TO-247
特性：沟槽栅场截止型IGBT
电性参数：40A?1200V
漏源电压(VDSS)：1200V
栅源电压(VGSS)：±20V
集电极电流(IC)：40A
脉冲集电极电流(ICM)：60A
最大功耗(PD)：320W
开启延迟时间(td(on))：181NS
关断延迟时间(td(off))：255NS
二极管正向电压(VF)：1.9V
工作温度：-55~+150℃
二极管反向恢复时间(trr)：55NS
引线数量：3
MP40N120场效应封装系列。它的本体长度为21.2mm，加引脚长度为41.6mm，宽度为16.0mm，高度为5.2mm，脚间距为5.65mm。
以上就是关于MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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