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示例Flash型号：
GD5F1GQ5REYIG
1、烧录器外观软件图标
1.1 外观如下
通过USB直连电脑，USB有供电口。
1.2 软件图标如下
2、烧录器操作方法
备注：
必须对同型号的Flash操作。
假如从Flash A型号读取出的数据，烧写到Flash B中，通常B无法正常工作。
2.1 读取Flash内容
（1）设置Flash型号
设置正确后点击OK界面如下：
（2）点击Read ID，测试是否可以正确读取
如果失败会显示红色，并提示Failed
（3）开始读取数据
弹窗右边chip部分为chip中读取出来的数据。
点击【save Memory From】保存，地址范围默认即可。
点击【是】
弹窗选择路径，填写文件名，这里取名为【GD5F1GQ5REYIG_Customers_Factory.bin】
会有Save memory is on-going之类的提示，等待保存完成即可。
至此，Flash数据读取完成。
备注：可以使用二进制操作文件打开保存好的bin，以查阅数据是否正确保存。
2.2 烧写bin文件到Flash
先准备好bin文件，通过上述步骤配置好操作环境，read一下ID，确保可以正确识别Flash，然后开始下述步骤：
（1）加载bin文件到buffer中
(a.)Read bin文件
(b.)选择镜像路径&选中Spare Area UseFile
(c.)使用mode0模式
(d.)点击Buffer可以看到bin文件数据已经加载进去了
（2）空片检查
或者直接erase也可以。
如果flash不空，则显示如下，此时最好执行一次erase flash，将片子擦空。
（3）点击program就开始写入数据了
可以看到写的过程中，处于busy状态，最下面绿色的是进度条，右边绿色的写入状态，写入失败的话会显示红色。
写完以后，会由【BUSY】变成【PASS】状态。
（4）校验数据
最后一步，校验数据。等待校验通过，结束。
至此，Flash烧写结束。
（5）可选：将Flash数据读出来并和原来的bin文件比较
最后可以将Flash里面的数据读出来，和之前的bin文件进行比较，完全一样：
2.3 批量写Flash步骤
基于上一步骤，写完一个FLash以后，缓冲器已经有数据了，则可以通过如下4个步骤批量写Flash：
- 1、读ID（确保可以正确操作）
- 2、Blank检查/空片检查（确保flash为空，若不为空需要Erase擦空从而保证写入数据干净）
- 3、Program（写Flash）
- 4、Verify（校验）
如下图：
