[嵌入式]STM32F407读取BQ34Z100调试记录

Stm32F407读取BQ34Z100记录

BQ34z100是TI的电量计芯片，首先要使用EV2400,通过BatteryManagementStudio，配置电量计芯片的参数

BQStudio配置电量计芯片参数

Step1：新建工程

Step2：选择芯片型号

Step3：打开Data Memory窗口

Step4：读取参数

读取实际参数

Step5：配置电池组参数

锂电池组满电25.2V 3000mAh

Design Capacity 电池总容量 3000mA

Design Energy 电池的总能量 = Design Capacity * 单节电压（3.7V的*3.7，4.2V的 *4.2）

3000ma*3.7*6 = 66,600mWt

而Design Energy最大值位32767.所以要与DesignEnergy Scale配合设置使用

DesignEnergy Scale 这里设置为15，Design 配置为66,600/15 = 22200

Step6：配置串联电池数量

配置串联电池数量 6

Step7：VOL_SEL置位

点击 pack configuration 弹出上面的pack configuration ,点击VOL_SEL使变为红色，此项不置1，后续电压参数无法校准。

点击write to Data Memory,保存设置

Step8：Qmax Cell 0设置

配置Qmax Cell 0 电池组是3000mAh配置为3000mAh

Step9：Voltage Divider设置

Voltage Divider设置： 由于我选择的是32V的分压档所以 Voltage Divider设置为37364 ，16V 为19182和48V 55545档需要对应的修改

Step10：实际参数校准

实际参数校准

万用表测量一下电池两端电压，校准一下电压值，电流值校准也可通过实际测量进行校准。

输入校准值后点击 Calibrate Gas Gauge 按钮确认校准。

Step11：RESET

至此，配置完后点接右边的RESET按钮，完成所有配置。

如果在调试中出线这个图标

我在配置过程中遇到过上面的标志通过点击下面的UNSEAL_FULL_ACCESS命令消失，但是RESET后依然有锁标志，而且参数无法配置，但是能够读取，下面状态栏显示读取和写入的比较失败

解决方法

从官网下载BQ34Z100的固件重新烧写进去

2.程序调试问题

BQ34Z100读取电池电压EV2400的时序图

发送指令 起始，0xaa，等待应达，0x08，等待应答,延时100uS，起始0xab，延时150uS

接收1字节，延时100uS，接收1字节，停止

1、BQ的iic与常见的iic有很大区别，中间会有延时，而且BQ芯片会将SCL芯片的引脚拉低，使主控的SCL引脚无法拉高，只有等到BQ释放SCL后，主控才能将SCL拉高，

2、用STM32F407的芯片设置为开漏并外接上拉10K电阻，不能够读取BQ的电压，用示波器测量使能口看到SDA引脚BQ有数据输出，但是STM32F407无法读取电量信息，

解决方法：在读取数据前将引脚改为输入模式就可以正常读取数据，读取数据后改回开漏输出模式。

1. BQ iic的SCL周期最好20uS以上，VE2400可以到10uS

4、STM32F407在发送完一字节数据后，最好检查下SCL的状态，只有BQ释放后SCL才会拉高
读取数据前将引脚改为输入模式就可以正常读取数据，读取数据后改回开漏输出模式。

1. BQ iic的SCL周期最好20uS以上，VE2400可以到10uS

4、STM32F407在发送完一字节数据后，最好检查下SCL的状态，只有BQ释放后SCL才会拉高