[嵌入式]衍三的硬件笔记之如何选择MOS管

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一，MOS管需要注意的几个参数

1.1 选择PMOS还是NMOS

NMOS：导通电阻小，发热低，允许通过电流大，型号多，成本低。
常用于正激，反激，推挽，半桥，全桥等拓扑电路。
PMOS：型号少，成本高。
常用于电源开关电路。

1.2 电压：漏源极电压Vds，栅源极电压Vgs，栅极导通电压VGS(th)

极限电压：Vgs，Vds。
驱动电压：Vgs，尽量越大越好，越大导通电阻Rds(on)越小。
栅极导通电压VGS(th)：MOS管开启电压。

1.3 电流：持续漏电流Id

Id要大于尖峰电流。通常，尺寸越大，导通电阻Rds(on)越小，允许的Id越大。
Id还与Vgs，Vds有关。电压越大，电流越大，以SI2323为例(外壳温度Tc，环境温度Ta)：

1.4 导通电阻Rds(on)

随着MOS管温度的升高，Rds(on)也会变大。MOS管的功率，导通损耗的公式：
Ptron=I2*Rdson。
以SI2323为例：

1.5 寄生电容

寄生电容越小，开关速率越好。常见有三个，以SI2323为例：

1.6 结温Tj

MOS管工作温度，不能大于结温的90%，否则要加散热片。其他还有，外壳温度Tc，环境温度Ta，PCB温度Tpcb。
上面是结温，下面是到引脚温度，以SI2323为例：

1.7 开关频率

1.8 封装

二，常用PMOS参数整理

型号：SI2323DS-T1；XP162A12A6PR-G；AO3407；ADO4185

三，常用NMOS参数整理

四，案例分析