1.硅衬底制备；
2.淀积SiO2和Si3N4作为硬掩膜版；
3.淀积多晶硅辅助层；
4.通过光刻和刻蚀形成硬掩膜版辅助层；
5.淀积SiO2；通过控制淀积时间来控制SiO2的厚度，从而控制Fin的宽度Wfin
6.刻蚀SiO2形成侧墙，Si3N4作为停止层；
7.去除多晶硅辅助层；
8.利用SiO2作为硬掩膜版，刻蚀形成有源区；
9.去除SiO2；
10.利用HDP CVD淀积SiO2，并通过CMP平坦化，Si3N4作为停止层；
11.SiO2回刻，有源区凸出SiO2表面，通过控制回刻的时间去控制Fin的高度；
12.去除Si3N4；
13.淀积SiO2和Si3N4作为硬掩膜版和阱离子注入的阻挡层；
14.通过光刻和刻蚀去除底部的Si3N4；
15.去掉SiO2；
16.通过两道光刻和两道大角度离子IMP形成NW和PW，Si3N4作为阻挡层；
17.去掉Si3N4；
18.利用HDP CVD淀积STI，并通过CMP平坦化；
19.STI回刻，有源区凸出STI表面，通过控制回刻的时间去控制Fin的高度；
20.光刻和沟道离子注入；
21.淀积SiO2缓冲层；
22.淀积多晶硅栅极，在ILD之后会去除SiO2缓冲层和多晶硅，然后淀积HfO2和金属栅；
23.通过光刻和刻蚀形成栅极；
24.淀积SiO2和Si3N4作为侧墙；
25.刻蚀形成栅极侧墙；
26.淀积SiO2作为外延生长阻挡层；
27.通过光刻和刻蚀使PMOS的源漏有源区暴露；
28.外延生长PMOS源漏有源区的SiGe外延层；
29.去除SiO2和Si3N4阻挡层；
30.淀积SiO2和Si3N4作为NMOS SiC外延生长阻挡层；
31.通过光刻和刻蚀使NMOS的源漏有源区暴露，去除NMOS源漏的SiO2和Si3N4；
32.外延生长NMOS源漏有源区的SiC外延层；
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