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[嵌入式]不改平面不加层,微调走线抬电平 |
作者:一博科技高速先生成员? 姜杰 设计组有个小伙子叫小博,入职刚满一年,今天收到了公司发来的暖心邮件。 他却高兴不起来,因为昨晚收到了一封电源仿真结果的邮件:自己独立接手的第一个设计任务,到了投板的节骨眼,直流压降有问题。 小博一夜难眠,一大早就来求助高速先生。 看着小博急切又期待的眼神,高速先生认真查了下板,最后给出的建议是,问题不大,不改平面不加层,动动走线就能行。小博半信半疑…… 电源的直流压降,作为衡量电源性能的一个重要指标,用电芯片端的要求通常会以电压百分比的方式给出,例如下表的DDR5的VDD,直流压降要求为-3%~+6% 不过,越来越多的芯片手册直接对电源路径的直流电阻提出要求,以DCR(Direct Current Resistance)阻值的形式给出。
按照高速先生的建议,微调走线后,用电芯片的电压增加至846mV。? 结果竟然达标了!小博惊掉了下巴,这……
没错,由于经验不足,小博原设计的电压反馈点设置在了近端,太靠近VRM。 为了抬高VRM的输出电平,高速先生建议将反馈点调整至远端,修改后的版本如下,靠近了用电芯片:
这里可以再做个仿真对比,说明DCR的变化对电源的影响。还是使用上面的仿真文件,为了简化问题,删除了电压反馈线,VRM输出电压将保持为0.85V,对比不同铜厚带来的变化。按照当前的电源平面和层叠设置,直流压降仿真结果如下: ?因为通道没有变化,电源路径直流压降仍然是83mV,电源DCR也保持不变,2.66mΩ。 我们把电源平面的铜厚由1oz增加到2oz,其它不变,再来看看仿真结果: ?由于电源平面的铜厚增加,电源DCR由2.66mΩ减小到2.48mΩ,直流压降也从83mV降低至76mV。由此可见,电源通道本身的优化确实可以减小DCR,进而改善压降。 |
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