前言
STC单片机IO口四种工作模式准双向口，推挽输出，高阻输入，开漏输出
一.IO口四种工作模式
STC89C52单片机的IO口都是准双向口，而后期的单片机功能强了IO的工作模式也就多了起来，以STC8G单片机为例，所有IO口有4种工作模式，确切的说所有IO口的每一个位（每一个引脚）都有4种工作模式：准双向口，推挽输出，高阻输入，开漏输出。也可以是不同的引脚有不同的模式。
单片机上电以后：除P3.0和P3.1外，其余所有IO口均为高阻态，用户在使用IO口前必须先设置IO口的工作模式（就是这个要求，让本人吃了多次亏）明明程序没有问题，就是无输出，检查程序一遍，发现未配置IO口，人家是默认高阻态呢，哪里来的输出？
所以之后的程序，写了一个架构，如下（配置IO口工作模式），不管用不用先设置成准双向口模式。
端口模式如何配置
void main()
{
P3M0=0x00;
P3M1=0x00;//设置P3.0-P3.7为准双向口模式
P5M0=0x00;
P5M1=0x00;//设置P5.0-P5.7为准双向口模式
while(1)
{
LED=~LED;
delay(100);
}
}
当然我的程序架构是有点问题的，我是将IO口统统准双向，当遇到要让不同的管脚设置不同的模式怎么办？（查看数据手册-知道有模式配置寄存器）
端口模式配置寄存器（PxM0，PxM1）
这是STC15系列的数据手册
查阅可知：每组IO口是由两组特殊功能寄存器联合控制的（以P1口举例）
两个寄存器每一位，组成两位的控制码，00-01-10-11来对应每一位的控制模式
比如控制P1口，即SFR：P1M1/P1M0; 如果控制P5口，即SFR：P5M1/P5M0
这两个寄存器。（STC单片机一共有5组IO口，每组IO口对应两个控制寄存器，即一共有10组SFR端口控制模式寄存器）
要注意一点的是，这些寄存器地址均不支持位寻址，所以配置时，只能采用直接向SFR以十六进制赋值的方式。
比如P1.0要求开漏输出模式，P1.1为高阻输入模式等等（如图）…
则对应寄存器P1M1=0x03；P1M0=0x09；对应程序就这样赋值即可（其他端口也是如此）
1.准双向口模式
这个模式又叫弱上拉，是标准的8051输出模式。
STC89C51单片机的P1/P2/P3口都是准双向口，即不但能够输出数据，也能够输入数据，但为什么是“准双向口”，而不是“双向口”？（准双向口电路如下）
由一个NPN三极管，外加反相器和一个上拉电阻组成（实际电路是MOS管，但三极管可以实现一样的功能）作为IO口，首先要有输出数据的功能，那么准双向口是怎么输出数据的？
SW1拨向高电平侧，代表输出的内部数据为1（高电平），高电平传递至反相器后，三极管基极即为低电平，低电平使三极管Q1截止，那么准双向口自然是通过上拉电阻那条路（电流流10k电阻至输出端），拉为高电平（即我们想要传递的内部数据高电平这样传递出去），也就是常说的拉电流。受10k电阻限制，拉电流非常弱。
SW0拨向低电平侧（代表输出内部数据为低电平），低电平经反相器后，为高电平，此时三极管导通，输出端则被强行下拉为低电平。输出0时，三极管把输出端和地导通，电流则可以从输出端，经三极管直接到地，这样可以从端口接收很强的电流，也就是我们常说的灌电流能力强。
以上则是把准双向口如何输出数据，提供拉电流，如何接收灌电流说清楚了，下面则是说如何输入了？
准双向口的输入线是直接从端口上引出来的，内接干扰抑制，和施密特触发器（不用详解），现在先把按键按下，SW2下拨，接入低电平，即输入0，低电平经过端口线（SW_PORT)，输入数据线（U3/U2），传递到内部。
输入高电平，（Vcc经SW2，按键，输入端，再到数据线）即输入内部数据（高电平）；那为什么是准双向口呢？此时三极管的集电极为截止状态，截止时，端口线被10k电阻弱上拉，如果此时端口（SW2）接低电平，很容易拉下来，此状态时，准双向口输入没有问题。
如果SW1接低电平，三极管导通，端口线将被强行下拉至低电平。因为下拉非常强烈，端口SW2即使接高电平，也不能把端口拉高，所以此时不能输入高电平，低电平（SW2拨下）可以正常输入，至输入数据端，至内部数据。
在输入数据前，SW1拨上，把三极管截止，就能顺利的把端口数据输入进来，所以单片机使用准双向口时，为了确保能正常读取端口状态，读前先写1，把三极管截止（即这就是准双向口的由来，准即提前准备的意思）
准双向口的特点
1.拉电流弱
2.能读能写
3.灌电流能力强
4.读前先写1，使三极管（晶体管）截止【否则很可能读不了1】
2.开漏输出模式
此模式，内部上拉电阻断开，加外部上拉电阻，才可读外部状态，也可对外输出高电平。例如STC89C51单片机的P0口；所谓开漏，是指MOS管漏极开路，或三极管集电极开路。
结构如图：
与准双向口相比，就差一个上拉电阻,先接入低电平（SW1拨下），低电平经反向变为高电平，高电平使三极管导通，输出端由于经三极管下拉到地，呈低电平，也就把0传递出来了。
将SW1拨上，即高电平经反向为低电平，三极管截止，此时输出端悬空，高电平并没有顺利传输出来，则说明开漏输出只能输出低电平，不能输出高电平。
上述是输出，下面讲解输入：
同理，SW1拨上接高电平，三极管截止，输入端接高电平（SW2拨上），高电平沿端口，经输入数据线传入内部（高电平传输没有问题），同理SW2拨下一样能正常传递进来。
若SW1拨下，即三极管导通，，端口线经三极管强下拉至地，所以此时尽管端口接高电平，那么输入数据线为低电平，即外部高电平没有传输进来；现在把端口开关SW2拨低电平侧，低电平通过数据输入线可以顺利传递进来。
由此可见开漏模式在输入的时候和准双向口一样，必须读前先写1，把三极管截止才能读到端口状态。补充一点：若SW1拨下接0时，接收灌电流能力强
开漏输出模式作用
说了半天，感觉开漏输出模式和准双向口差不多呢？而且还不能输出高电平，要它何用？
特长：1.输出端外加上拉电阻，立即变为准双向口模式，功能完全一样，
2.实现电平转换：输出电平完全由外部上拉电阻的电源决定（比如这里36v）
3.开漏输出模式具有线与功能：例如多路信号同时输入，只有同时输入高电平（SW2,SW3,SW4,SW5,SW6拨上），才能将高电平输入数据输入端至内部，只要有一路或几路SW拨下，输入数据就是低电平。
总结此模式：
优点：1.电平转换。2.线与功能。3.上拉准双向。4.灌电流能力强
缺点：1.只能输出低电平，不能输出高电平。2.准输入口（读前写1，三极管截止）
3.推挽输出模式
这个模式又叫强上拉，很适合大电流输出，能输出20MA的拉电流，如下
单片机管脚的推挽输出由两只三极管（或场效应管）组成，这两只晶体管始终处于一个导通另外一个截止的状态。而三极管又是电流控制元件：以小电流来控制大电流，（如下）左边是P型三极管，当基极有小电流输入，则集电极大电流可以流向发射极；而对于右边N型三极管，只有基极有小电流流出时，那么发射极的大电流可以向集电极流。
而在推挽电路，单片机给管脚高电平的时候，让上面的NPN型三极管导通，下面的PNP三极管截止，此时单片机管脚有大电流输出Vout，形成“推”，即为拉电流；
当单片机给管脚低电平的时候，N型三极管导通，P型三极管截止，此时电流从管脚流入单片机，形成"挽"，即灌电流；单片机在此模式时有很强的驱动能力，而拉电流能达到20MA左右；灌电流的驱动能力更强。
4.高阻输入模式
此模式：电流即不能流入也不能流出。
相当于开关全部断开…